Диодный выпрямитель прямоугольного напряжения, выполненный на теоретически идеальных диодах, не может иметь КПД выше 94.6% если напряжение на нагрузке равно 5В. Такой же выпрямитель на реальных диодах с падением напряжения 0.8В не позволяет получить КПД выше 86.2%. Диоды Шоттки с падением напряжения 0.5В позволяют получить КПД 0.909. Применение синхронного выпрямителя (СВ) на полевых МДП-транзисторах с падением напряжения 0.1...0.2В повышает КПД до 0.962 и более.
n = U_ЭФ / (U_ЭФ−U_СИнас)
Входные ёмкости полевых МДП-транзисторов больше выходных, но значительно меньше чем у соответствующих биполярных транзисторов. Так, например, у КТ908 С_ВХ=10нФ, в то время как у 75-ваттного 2П904 С_ВХ - не более 200пФ.
Характеристики переключения измеряются долями и единицами наносекунд, что на 1-2 порядка превосходит быстродействие биполярных транзисторов.
Недостатки:
- значительная амплитуда входных отпирающих импульсов (от 5 до 15В);
- спад крутизны S при больших токах стока.
Анализ вольт-амперных характеристик некоторых МДП-транзисторов при U_Ж=15В:

позволяют сделать следующие выводы:
- при снижении тока, протекающего через транзистор, пропорционально снижается напряжение сток-исток, т.е. при параллельном включении дополнительно повышается КПД;
- потери мощности на управление незначительны, т.к. ток в цепи затвора близок к нулю;
- на затвор необходимо подавать максимально возможный потенциал как прямом, так и в запирающем направлении.
Основные требования к МДП-транзисторам для применения в СВ:
- прибор должен быть полностью закрыт при нулевом потенциале затвора или при подаче на затвор запирающего потенциала;
- сток и исток прибора должны быть взаимозаменяемыми, т.е. прибор должен отпираться в обратном направлении так же хорошо, как и в прямом.
По способу управления схемы СВ с полевыми транзисторами делятся на две группы:
- с управлением по цепи затвор - сток:

- с управлением по цепи затвор - исток:

В свою очередь по способу включения транзисторов СВ бывают:
- прямого включения

- инверсного включения

Чаще используют схемы инверсного включения. Схемы

при выпрямленном напряжении 10...15В (зависит от U_ЗИнас) можно упростить до вида

соответственно.
При работе СВ на нагрузку с ёмкостной реакцией необходимо управление транзисторами в зависимости от зарядного тока, что позволяет схема с трансформатором тока (с инверсным включением транзисторов и с управлением по цепи затвор - исток):

При относительно малых стоковых напряжениях (меньше U_СИнас) открытые каналы ПТ ведут себя практически как линейные резисторы, проводимость которых зависит от напряжения затвора.
Проводимость транзистора с управляющим p-n переходом:
G_К = G_КО(1−U_ЗИ / U_ЗИотс)
Проводимость МДП-транзистора с индуцированным каналом:
G_К = b[U_ЗИ - U_ЗИпор]
где b - постоянный коэффициент, зависящий от геометрических размеров и материала диэлектрика с размерностью A/B.
При смене полярности стокового напряжения линейность сопротивления (или проводимости) не нарушается, поэтом полевой транзистор может использоваться как переменный электрически управляемый линейный резистор для постоянного и переменного токов.
В качестве примера на рисунке показан управляемый аттенюатор схемы АРУЗ магнитофона:

В качестве активного элемента можно использовать транзистор типа КП103К(Л,М) или набор транзисторов типа КР504НТ3В.
Следует заметить, что на обратное напряжение стока накладываются дополнительные ограничения. Для ПТ с управляющим p-n переходом необходимо, чтобы [U_СИ] =< [U_ЗИ] + 0.5В, в противном случае при воздействии обратного стокового напряжения участок управляющего p-n перехода возле стока окажется открытым настолько, что в стоковом цепи потечёт значительный прямой ток затвора, нарушающий линейность резистора.
Если подложка МДП-транзистора имеет отдельный вывод, диапазон обратных стоковых напряжений можно увеличить, подав на подложку относительно истока запирающее напряжение.
Для ПТ с управляющим p-n переходом минимальное значение регулируемого сопротивления соответствует полностью открытому каналу (при U_ЗИ=0), максимальное теоретически равное бесконечности, но на практике ограниченное условием [U_СИ] =< [U_СИнас]/2
Дальнейшее увеличение сопротивления канала путём увеличения U_ЗИ приводит к уменьшению U_СИнас, из-за чего нарушается линейность резистора для прямых стоковых напряжений.
Начальные участки семейства стоковых характеристик полевого транзистора с управляющим p-n переходом:

Начальные участки семейства стоковых характеристик МДП-транзистора:

Зависимость сопротивления канала от напряжения затвора для транзистора типа КП102:

Зависимость сопротивления канала от напряжения затвора для транзистора типа КП303:

Для этой схемы включения:

В качестве электрически управляемого резистора ПТ используют в управляемых RC-фильтрах, генераторах, аттенюаторах для осуществления автоматической регулировки усиления (АРУ) и других устройствах.
Электрически управляемый RC-генератор с 3-звенной фазосдвигающей цепочкой в цепи обратной связи:

Каждое звено цепочки создаёт сдвиг по фазе на 60°, при этом суммарный сдвиг составляет 180°, т.е. возникает положительная ОС на частоте
f = (3^0.5)•RC / 2 = 0.85•R•C
где R - сопротивление звеньев фазосдвигающей цепи.
Необходимо учесть, что коэффициент передачи 3-звенной фазосдвигающей цепи равен 1/29, поэтому коэффициент усиления активного элемента должен быть К=>29.
Применение отражателя тока в гетеродине повышает стабильность частоты примерно на порядок по сравнению с обычным генератором:

Простой генератор качающейся частоты (от 300 Гц до 3.4 кГц):

Период качания от 0.15 до 0.5 с устанавливают резистором R2. На транзисторах VT1...VT3 и конденсаторе С2 собран генератор пилообразного напряжения, амплитуда которого, а соответственно и верхняя частота качания, регулируются резистором R6. Нижнюю частоту устанавливают резистором R18. С помощью переключателя S1 можно установить необходимые дискретные частоты.
Простой индикатор скрытой проводки:

Вдали от токоведущих частей он издаёт короткий звуковой сигнал частотой около 3 кГц и периодом следования около 2 с, длительность которого определяется элементами R1, R2, C1. По мере приближения к токоведущим частям частота следования звуковых сигналов повышается. В качестве датчика использован конденсатор в виде кружка из двустороннего стеклотекстолита, одна обкладка которого припаяна к гильзе-корпусу и подключена к подложке ПТ, а вторая - к затвору.

Вариант прибора со световой индикацией:

Пример усилителя с регулируемым коэффициентом передачи:

Коэффициент передачи можно изменять в пределах от 1 до 1000, при этом искажения малы вплоть до ограничения сигнала напряжением питания. Уменьшению искажений способствует линеаризирующая цепочка R2C1.

Частным случаем усилительного режима является ключевой режим, характеризующийся двумя крайними состояниями. Достоинством электронного ключа на ПТ является высокое быстродействие и практически полное отсутствие расхода мощности коммутируемого сигнала. Для примера, ослабление ключа, представленного на этом рисунке:

- более 80дБ на частоте 100 МГц.

Пример упрощённого аналогового ключа:

Инжекционно-полевой транзистор (ИПТ) представляет собой прибор с отрицательным дифференциальным сопротивлением на основе биполярного и полевого транзисторов - так называемого негатрона. Эквивалентная схема негатрона:

Вольт-амперная характеристика ИТП:

Пример реализации генератора импульсов:

После подачи напряжения питания на генератор конденсатор C1 заряжается до напряжения Umax, после чего происходит лавинообразное включение ИТП, который вызывает разряд конденсатора до напряжения Umin, после чего ИТП выключается и процесс повторяется.
Период колебаний изменяется от 2 до 100 мс при изменении сопротивления резистора R1 от 1.7 до 100 МОм.
Усовершенствованный генератор, коэффициент перестройки по частоте которого на порядок больше (Т=0.4...240мс при изменении R1 от 0.03 до 34 МОм):

Каскодный аналог негатрона:

Может эффективно использоваться в генераторных устройствах, датчиках, фильтрах, компенсаторах затухания сигнала, в линиях связи, в устройствах задержки и памяти. Вольтамперная характеристика такого негатрона:

Питание негатронов от одного или двух генераторов тока способствует улучшению стабильности характеристик и расширению их функционольных возможностей:

Вольт-амперная характеристика негатрона с генератором тока:

При соответствующем выборе параметров элементов схемы

Вольт-амперная характеристика может проходить через ноль тока и напряжения:

Поэтому он может эффективно использоваться в компенсаторах затухания сигнала в линиях связи, для улучшения параметров широкополосных трансформаторов, в устройствах памяти.

Другая разновидность полевых транзисторов - ДМОП транзисторы, которые изготавливают методом двойной диффузии с горизонтальной структурой [n-p-n-n] и индуцированным каналом N-типа. Такой транзистор представляет собой интегральную схему, состоящую из множества МОП-транзисторных ячеек, соединённых параллельно. Каждая из ячеек и в целом мощный полевой транзистор могут быть представлены эквивалентной схемой, включающей последовательно три полевых транзистора (обогащённый, обеднённый и с p-n переходом), шунтированные паразитным биполярным транзистором (также мощным), поскольку количество биполярных транзисторов, включённых параллельно, равно количеству ячеек.