В простейшем каскаде с ОЭ входной сигнал подаётся на базу, а цепь эмиттера подключена к общему проводу. Каскады с ОЭ обеспечивают усиление как по току, так и по напряжению. Ток коллектора очень слабо зависит от напряжения на нём, поэтому транзистор со стороны со стороны коллектора в большинстве случаев можно рассматривать как генератор тока I_К с очень большим выходным сопротивлением.

Крутизна транзистора S = 1 / (rэ+Rэ), где rэ = fт / Iэ - диференциальное сопротивление эмиттерного перехода - выступает в качестве последовательного сопротивления во всех схемах, увеличивает входное и выходное сопротивление транзистора.
Коэффициент усиления по напряжению без учёта сопротивления нагрузки R_Н и сопротивления коллектора r_К
Кu = -S•R_ВХ = - R_К / (rэ+Rэ).
Знак "минус" говорит об инверсии сигнала. Это справедливо при R_К много меньше R_Н и r_К. В противном случае необходимо учитывать их шунтирующее влияние.
r_К = 1 / h22э - выходное сопротивление коллектора;
h22э - выходная проводимость.
Соответственно при отсутствии Rэ Кu = -R_К / rэ.
Как видно из приведённой формулы, каскаду с ОЭ (без принятия дополнительных мер) свойственны большие нелинейные искажения, т.к. в знаменателе есть нелинейная величина r_Э, имеющая сложную зависимость от тока коллектора.
Уменьшить нелинейные эффекты можно по следующим направлениям:
- уменьшение влияния r_Э путём установки последовательно с ним резистора R_Э (местная ООС по току);
- компенсация влияния r_Э путём установки последовательно с R_К одного или нескольких диодов динамическое сопротивление которых равно: r_Д = f_Т / I_К, тогда
Кu = (R_К + n•rд) / (r_Э+R_Э), где n - количество диодов;

- выбор оптимального тока коллектора, при котором минимальны изменения h21э;
- правильный выбор рабочей точки;
- применение местной ООС по напряжению, которая одновременно уменьшает влияние ёмкости С_К, так как шунтирует её:

- выбор оптимального сопротивления источника (например, подбором сопротивления Rп последовательно со входом;
- уменьшение влияния rэ путём замены R_К генератора тока (за счёт стабилизации тока коллектора);
- уменьшение нелинейных эффектов за счёт применения динамической нагрузки;
- взаимокомпенсация нелинейных эффектов за счёт встречной динамической нагрузки.
Усилительные свойства транзисторов сохраняются до напряжения насыщения, которое может быть в пределах от 0.2...0.3В до нескольких вольт в зависимости от тока коллектора. Например, для маломощных транзисторов при токах больше 10...20 мА насыщение может наступать при Uкэ=(1...2)В.
Напряжение U_БЭ зависит от температуры и изменяется на -2.1 мВ/°C. Поэтому ток коллектора увеличивается в 10 раз при увеличении Т? на 30°C. Такая нестабильность делает смещение неработоспособным, т.к. даже небольшое изменение температуры выводит транзистор в режим насыщения или отсечки.
Входное сопротивление каскада:
R_ВХ = R_П+r_Б+h21э•(r_Э+R_Э) и имеет ёмкостный характер.
При отсутствии R_П и R_Э и если пренебречь r_Б, то
R_ВХ = h21э•r_Э = h21э•25 / I_К (мА), Ом
Отсюда видно, что R_ВХ величина не постоянная, меняется при изменении входного сигнала, т.к. меняется I_К.
Диапазон изменения входного сигнала при R_Э=0, при котором сохраняется линейный режим, не превышает 2−f_Т = 50 мВ.
Коэффициент передачи тока h21э не постоянен и имеет сложную зависимость для тока коллектора (для маломощных транзисторов). В зависимости от типа транзистора максимум коэффициента передачи может наступать при токах коллектора от 1-2 мА для маломощных транзисторов, до нескольких Ампер - для мощных. В режиме насыщения наблюдается резкое падение коллекторного тока независимо от тока базы, при этом коллекторный переход оказывается прямосмещённым.

При сопротивлении источника сигнала Rr > Rвх можно считать, что источник входного сигнала электрически замкнут накоротко. При этом входной ток Iвх = Евх / Rr и практически не зависит от изменяющегося Rвх, где Евх - ЭДС источника сигнала.
Следовательно усиление будет происходить с малыми нелинейными искажениями, поскольку зависимость выходного тока транзистора от входного практически линейна, хотя входное напряжение Uвх = Iвх•Rвх - нелинейно.
Однако не следует думать, что чем Rr больше Rвх, тем лучше. Для транзисторного каскада характерна вполне определённая оптимальная величина как внутреннего сопротивления источника сигнала, так и тока коллектора. Необходимо также учитывать, что Rк шунтируется входным делителем каскада.

Ёмкость коллекторного перехода Ск является барьерной ёмкостью и зависит от напряжения на коллекторе, т.е. носит динамический характер.
Подобно тому как Сэ уменьшается в (Кu+1) раз в эмиттерном повторителе благодаря положительной ОС в каскаде с ОЭ Ск увеличивается во столько же раз благодаря отрицательной ОС, что равносильно подключению параллельно входу динамической ёмкости Ск (Кu+1). В большинстве случаев она оказывает отрицательное влияние, однако иногда используют и её. В этом и заключается так называемый эффект Миллера.
Частоту среза каскада снижает не только входная динамическая ёмкость,но и ёмкость нагрузки, в том числе и монтажа. Расширить полосу пропускания можно следующим образом:
- Уменьшить Rн при одновременном увеличении Iк, т.к. усиление прямопропорционально Iк/Св;
- применить транзисторы с малыми ёмкостями переходов;
- отделить нагрузку эмиттерным повторителем.
Как отмечалось выше, простейший каскад не обладает термостабильностью, поэтому практически не используется. Вот один из способов так называемой коллекторной термостабилизации с приминением отрицательнной обратной связи по напряжению:

Если взять исходное напряжение Uк равным 0.5Е_П, то R_К = 0.5•Е_П / I_К, сопротивление в цепи базы R_Б = 0.75•Е_П / I_Б = 0.5•Е_П•h21э / Iк.

Базовый резистор заменён Т-мостом, где С = Кu / F•2•pн•pR1. Обычно R1 принимают равным R2.

Используется для усиления относительно слабых сигналов. Изменение температуры не влияет на работу схемы.

Аналогичный каскад с трансформаторной связью на входе.

RC-цепь, параллельную резистору R_Э, применяют для увеличения усиления по переменному току, а так же для коррекции АЧХ каскада.
Сопротивление резистора R_Э в зависимости от тока коллектора выбирают от долей оМа (в мощных выходных каскадах) до нескольких килоОм (в маломощных). Ток базового делителя желательно иметь примерно в 10 раз больше тока базы.

Цепь смещения при двухполярном питании:

За счёт применения R_Э динамический диапазон такой схемы выше, чем у каскада с компенсационным смещением на согласованном транзисторе.

Коэффициент усиления - 5000 и более. Недостаток - низкая нагрузочная способность, проявляющаяся в явно выраженных искажениях в виде чётных гармоник.

Входное сопротивление каскада - около 200 кОм, коэффициент усиления Кu = K2 / K3 = 10.

Позволяет получить усиление 20000 и более. Реализовать такое усиление можно только при работе каскада на составной эмиттерный или истоковый повторитель.

В отличие от каскада с ОЭ нелинейные искажения значительно меньше, поскольку напряжение отсечки U_ОТС=1..5В намного больше, чем температурный потенциал f_Т=25мВ биполярных транзисторов. Линейная область входных напряжений значительно шире и сильно зависит от выбора рабочей точки I_СП/I_Сmах, где I_СП - ток стока покоя, I_Сmах - максимальный ток стока.

Коэффициент усиления - 10;
полоса пропускания - 5...25000 Гц;
номинальное входное напряжение - 150 мВ;
максимальное входное напряжение - 700 мВ;
коэффийиент шума - 80...85 дБ;
коэффицмент гармоник - <0.05%

Имеет коэффициент усиления около 100...150. Благодаря съёму сигнала с эмиттера транзистора VT2 каскад имеет низкое входное сопротивление. Номинальное входное напряжение - 20мВ.

Для получения необходимой АЧХ или её коррекции вместо R_К или параллельно ему включают различные (параллельные или последовательные) LC- или RC-цепи. Входное сопротивление каскада с общей базой (ОБ) на определённых частотах имеет индуктивную составляющую, которую можно использовать для ВЧ-коррекции.

Кус=10. Минимального уровня шумов добиваются подбором R5, который зависит от напряжения питания. При этом ток коллектора обычно находится в пределах 30...50 мА.

При работе такого каскада на каскад с высоким входным сопротивлением коэффициент усиления может достигать 5000.

Для управления используются противофазные сигналы.

Благодаря применению дополнительных транзисторов (VT5, VT6) исключены сквозные токи.