Если используется слабый блок питания, то при больших токах заряда, на входе питания силовой части, могут быть довольно большие импульсы.
Также возможно вхождение дросселей в область насыщения. В начале импульса, пока индукция в дросселе не достигла индукции насыщения, ток нарастает линейно, затем дроссель теряет свою индуктивность (остается индуктивность, образованная витками дросселя, без влияния магнитопровода), фактически все силовое питание, через Р - канальных MOSFET транзистор, оказывается приложено к аккумулятору. Косвенный признак этого сильный нагрев Р - канальных MOSFET транзисторов. Как этого избежать и правильно рассчитать дроссель - (с) 1996, 2000, 2002 А.Кузнецов. Трансформаторы и дроссели для импульсных источников питания
http://ferrite.com.ua/st1.html.
Здесь можно почитать мои заметки об индуктивности и трансформаторе.